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元器件型号详细信息
原厂型号
NVTFWS9D6P04M8LTAG
摘要
MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 13A（Ta），64A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
67 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2312 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFWS9
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVTFWS9D6P04M8LTAG
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规格书
1(NVTFS9D6P04M8L)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021)
HTML 规格书
1(NVTFS9D6P04M8L)
价格
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