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GermanyTPS1101D
元器件型号详细信息
原厂型号
TPS1101D
摘要
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 15 V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+2V，-15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
791mW（Ta）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
TPS1101
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-TPS1101D-NDR
-TPS1101DG4-NDR
296-3381-5
-296-3381-5-ND
296-3381-5-NDR
TEXTISTPS1101D
TPS1101DG4-ND
-296-3381-5
-TPS1101DG4
TPS1101DG4
2156-TPS1101D
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments TPS1101D
相关文档
规格书
1(TPS1101, TPS1101Y)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
()
制造商产品页面
1(TPS1101D Specifications)
HTML 规格书
1(TPS1101, TPS1101Y)
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
单价: $9.39712
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.75855
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.48137
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.65002
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.3968
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.158
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.3
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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