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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFSL38N20DPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 43A TO262
详情
通孔 N 通道 200 V 43A（Tc） TO-262
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 25 V
FET 功能
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIRFSL38N20DPBF
SP001557568
2156-IRFSL38N20DPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF
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HTML 规格书
1(IRF(B,S,SL)38N20DPbF)
仿真模型
1(IRFB_S_SL38N20D Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRFSL4127PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥49.61000
替代类型. : 类似
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