元器件型号详细信息

原厂型号
DMNH6021SPDW-13
摘要
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
详情
MOSFET - 阵列 60V 8.2A(Ta),32A(Tc) 1.5W(Ta) 表面贴装,可润湿侧翼 PowerDI5060-8(R 类)
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.2A(Ta),32A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1143pF @ 25V
功率 - 最大值
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PowerDI5060-8(R 类)
基本产品编号
DMNH6021

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMNH6021SPDW-13

相关文档

规格书
1(DMNH6021SPDW)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)

价格

数量: 12500
单价: $4.24826
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.41421
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.64653
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500

替代型号

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