元器件型号详细信息

原厂型号
2N7002DW L6327
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
详情
MOSFET - 阵列 60V 300mA 500mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
2N7002

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

2N7002DWL6327
2N7002DW L6327-ND
SP000408436

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies 2N7002DW L6327

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价格

-

替代型号

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制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
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