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20250409
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元器件资讯
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IPD60R800CEATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R800CEATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 5.6A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
800 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 170µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
373 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD60R800CEATMA1TR
INFINFIPD60R800CEATMA1
SP001276028
IPD60R800CEATMA1CT
2156-IPD60R800CEATMA1-ITTR-ND
2156-IPD60R800CEATMA1
IPD60R800CEATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD60R800CEATMA1
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规格书
1(IPD60R800CE, IPA60R800CE)
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1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
PCN 设计/规格
1(Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IPD60R800CE, IPA60R800CE)
价格
-
替代型号
型号 : IPD60R800CEAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 直接
型号 : TK7P60W5,RVQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 1,689
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
型号 : IXTY4N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥22.02000
替代类型. : 类似
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