SPP07N65C3HKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPP07N65C3HKSA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

详情

通孔 N 通道 650 V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 350µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

27 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

790 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3-1

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SPP07N

其它名称

SP000014631

SPP07N65C3X

SPP07N65C3-ND

SPP07N65C3IN

SPP07N65C3

SPP07N65C3XK

SPP07N65C3IN-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP07N65C3HKSA1

价格

-

替代型号

型号 : SPP07N60C3XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 385
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 参数等效

型号 : IRFBC30APBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,576
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似

型号 : STP11NM60

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,500
单价. : ¥33.71000
替代类型. : 类似

型号 : FCP600N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 402
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似

型号 : TK12E80W,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥28.70000
替代类型. : 类似

型号 : STP15N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 991
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830APBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,819
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830A

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP14N60P

制造商 : IXYS
库存 : 230
单价. : ¥38.24000
替代类型. : 类似

型号 : STP12N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似

SG-8018CA 4.6360M-TJHPA0 SXT32410CA07-40.000M PLC3G823J10 DMT-B-C-F-T-R MAVR-044769-12790T

SPP07N65C3HKSA1

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