STGY80H65DFB

元器件型号详细信息

原厂型号

STGY80H65DFB

摘要

IGBT 650V 120A 469W MAX247

详情

IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 MAX247™

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

30

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

-

包装

管件

产品状态

停产

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

240 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V，80A

功率 - 最大值

469 W

开关能量

2.1mJ（开），1.5mJ（关）

输入类型

标准

栅极电荷

414 nC

25°C 时 Td（开/关）值

84ns/280ns

测试条件

400V，80A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)

85 ns

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

MAX247™

基本产品编号

STGY80

其它名称

-497-14564-5

497-14564-5

STGY80H65DFB-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGY80H65DFB

价格

数量: 100

单价: $89.1454
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $105.551
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $114.88
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STGW80H65DFB

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥59.54000
替代类型. : 参数等效

型号 : STGWA80H65FB

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥55.41000
替代类型. : 参数等效

型号 : STGW80H65FB

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥34.69880
替代类型. : 参数等效

型号 : NGTB50N65FL2WG

制造商 : onsemi
库存 : 33
单价. : ¥52.87000
替代类型. : 类似

型号 : IXXH60N65B4

制造商 : IXYS
库存 : 6
单价. : ¥65.67000
替代类型. : 类似

型号 : IXXH60N65C4

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥56.58733
替代类型. : 类似

型号 : FGH60T65SHD-F155

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥47.30000
替代类型. : 类似

型号 : IXXH60N65B4H1

制造商 : IXYS
库存 : 30
单价. : ¥108.75000
替代类型. : 类似

型号 : IXXH40N65B4

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥37.74533
替代类型. : 类似

STM32F437IGH6 C0805C242J8HAC7800 RWR71S1000FSRSL 627W2WK2622-1NA 0430310001-12-G4-D

STGY80H65DFB

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