IPB65R099C6ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB65R099C6ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

38A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

99 毫欧 @ 12.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

127 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2780 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

278W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB65R099

其它名称

2156-IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1DKR

IPB65R099C6ATMA1TR

IPB65R099C6ATMA1CT

INFINFIPB65R099C6ATMA1

SP000895224

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB65R099C6ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB35N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥57.95000
替代类型. : 类似

型号 : STB36NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥54.77000
替代类型. : 类似

型号 : STB34NM60ND

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥90.31000
替代类型. : 类似

型号 : STB38N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
替代类型. : 类似

型号 : STB42N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,648
单价. : ¥96.35000
替代类型. : 类似

型号 : STB43N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥75.12000
替代类型. : 类似

型号 : SIHB33N60ET5-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥30.48348
替代类型. : 类似

型号 : STB34N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
替代类型. : 类似

型号 : STB30N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 935
单价. : ¥54.85000
替代类型. : 类似

型号 : STB45N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,208
单价. : ¥70.91000
替代类型. : 类似

型号 : STB33N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 136
单价. : ¥33.87000
替代类型. : 类似

11325436 GBPC5004W SXT32411AA07-13.000M 205096 ERF8-030-7.0-L-DV-EGPS-K-TR

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