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GermanyFDB1D7N10CL7
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB1D7N10CL7
摘要
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 268A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
51 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
268A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.65 毫欧 @ 100A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
163 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11600 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
FDB1D7
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDB1D7N10CL7-ND
488-FDB1D7N10CL7TR
488-FDB1D7N10CL7CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB1D7N10CL7
相关文档
规格书
1(FDB1D7N10CL7)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
HTML 规格书
1(FDB1D7N10CL7)
价格
数量: 2400
单价: $32.76501
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $34.02517
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $39.06595
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $44.8627
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $54.184
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $60.02
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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