STP35N60DM2

元器件型号详细信息

原厂型号

STP35N60DM2

摘要

MOSFET N-CH 600V 28A TO220

详情

通孔 N 通道 600 V 28A（Tc） 210W（Tc） TO-220

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ DM2

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

110 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

54 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2400 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

210W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

STP35

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP35N60DM2

价格

数量: 2000

单价: $23.23991
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $24.46304
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $29.00618
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $34.0733
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $41.586
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $46.27
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STW35N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 35
单价. : ¥53.66000
替代类型. : 参数等效

型号 : FCP125N60E

制造商 : onsemi
库存 : 799
单价. : ¥45.39000
替代类型. : 类似

型号 : FCP099N60E

制造商 : onsemi
库存 : 40
单价. : ¥49.85000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R099P7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 202
单价. : ¥40.15000
替代类型. : 类似

型号 : FCP104N60

制造商 : onsemi
库存 : 348
单价. : ¥50.00000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP32N65XM

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥47.39100
替代类型. : 类似

型号 : IXFP34N65X2

制造商 : IXYS
库存 : 388
单价. : ¥56.21000
替代类型. : 类似

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STP35N60DM2

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