English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDD3570
元器件型号详细信息
原厂型号
FDD3570
摘要
MOSFET N-CH 80V 10A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 10A（Ta） 3.4W（Ta），69W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2800 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.4W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FDD357
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD3570
相关文档
规格书
1(FDD3570)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
HTML 规格书
1(FDD3570)
EDA 模型
1(FDD3570 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : BUK9226-75A,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 7,478
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
库存 : 7,478
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
型号 : STD25NF10LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.74000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥17.74000
替代类型. : 类似
型号 : STD70N10F4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.90000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥17.90000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3710ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 36,572
单价. : ¥19.52000
替代类型. : 类似
库存 : 36,572
单价. : ¥19.52000
替代类型. : 类似
型号 : STD45N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,660
单价. : ¥12.47000
替代类型. : 类似
库存 : 1,660
单价. : ¥12.47000
替代类型. : 类似
型号 : STD25NF10T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.90000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥14.90000
替代类型. : 类似