元器件型号详细信息

原厂型号
CSD13303W1015
摘要
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
详情
表面贴装型 N 通道 12 V 31A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
715 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.65W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DSBGA(1x1.5)
封装/外壳
6-UFBGA,DSBGA
基本产品编号
CSD13303

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-CSD13303W1015
TEXTISCSD13303W1015
296-39990-2
296-39990-1
-296-39990-1-ND
296-39990-6
CSD13303W1015-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD13303W1015

相关文档

规格书
1(CSD13303W1015)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
1(Carrier Tape 28/Aug/2018)
制造商产品页面
1(CSD13303W1015 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD13303W1015)
EDA 模型
1(CSD13303W1015 by Ultra Librarian)

价格

数量: 30000
单价: $1.21805
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.28466
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.37983
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.47497
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $1.70287
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.20372
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.8047
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $3.752
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $4.37
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $1.70287
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.20372
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
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数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $4.37
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : PMCM6501VNEZ
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 65
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似