IRFHM830TRPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRFHM830TRPBF

摘要

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） 8-PQFN 双（3.3x3.3）

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

24 周

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

21A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.8 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

31 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2155 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.7W（Ta），37W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN 双（3.3x3.3）

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

IRFHM830

其它名称

IRFHM830TRPBF-ND

IRFHM830TRPBFTR

SP001566782

IRFHM830TRPBFDKR

IRFHM830TRPBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFHM830TRPBF

价格

数量: 12000

单价: $2.87631
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 8000

单价: $2.98867
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 4000

单价: $3.14598
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 2000

单价: $3.14598
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.37068
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.26958
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.1682
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.63
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.39
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $3.14598
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.37068
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.26958
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.1682
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.63
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.39
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CX10S-D0AHGB-P-A-DK00000 23144273M0712(R)533EC000106DG MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR TSW-111-08-G-T-LA

IRFHM830TRPBF

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