English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRLR3715Z
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLR3715Z
摘要
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
810 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLR3715Z
相关文档
规格书
1(IRLR3715Z, IRLU3715Z)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRLR3715Z, IRLU3715Z)
价格
-
替代型号
型号 : IPD30N03S2L10ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥7.50034
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.50034
替代类型. : 类似
型号 : SUD50N024-09P-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STD150N3LLH6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,063
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
库存 : 1,063
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
型号 : STD100N3LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,954
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
库存 : 2,954
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似