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GermanyIPP77N06S212AKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP77N06S212AKSA1
摘要
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详情
通孔 N 通道 55 V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
158W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP77N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPP77N06S212AKSA1
IPP77N06S2-12-ND
SP000218172
IPP77N06S2-12
INFINFIPP77N06S212AKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP77N06S212AKSA1
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1(IPB,IPP77N06S2-12)
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1(Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014)
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1(IPB,IPP77N06S2-12)
价格
数量: 500
单价: $5.54792
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
型号 : IPP77N06S212AKSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
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型号 : IRF830A
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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