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元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN4A06GTA
摘要
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
770 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ZXMN4A06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMN4A06GTR
ZXMN4A06GTR-NDR
ZXMN4A06GDKR
ZXMN4A06GCT
ZXMN4A06GCT-NDR
Q3100363C
ZXMN4A06GDKRINACTIVE
ZXMN4A06GDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA
相关文档
规格书
1(ZXMN4A06G)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
EDA 模型
1(ZXMN4A06GTA by Ultra Librarian)
价格
数量: 25000
单价: $2.46238
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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