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GermanyHGT1S10N120BNST
元器件型号详细信息
原厂型号
HGT1S10N120BNST
摘要
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
详情
IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
77 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
298 W
开关能量
320µJ（开），800µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100 nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/165ns
测试条件
960V，10A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
HGT1S10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HGT1S10N120BNST-ND
HGT1S10N120BNSTCT
HGT1S10N120BNSTDKR
HGT1S10N120BNSTTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGT1S10N120BNST
相关文档
规格书
1(HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
PCN 封装
()
价格
数量: 5600
单价: $10.9547
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 2400
单价: $11.3826
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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