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元器件型号详细信息
原厂型号
NP110N055PUG-E1-AY
摘要
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
380 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），288W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc NP110N055PUG-E1-AY
相关文档
规格书
1(NP110N055PUG)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Aug/2013)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(NP110N055PUG-E1-AY by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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