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GermanyIRF8707GTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF8707GTRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.9 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF8707GTRPBFTR
IRF8707GTRPBFCT
IFEIRFIRF8707GTRPBF
IRF8707GTRPBFDKR
2156-IRF8707GTRPBF
SP001566566
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF8707GTRPBF
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1(IRF8707GPbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRF8707TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 33,575
单价. : ¥4.53000
替代类型. : 参数等效
库存 : 33,575
单价. : ¥4.53000
替代类型. : 参数等效
型号 : SQ4410EY-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 7,893
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
型号 : DMN3016LSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : FDS8878
制造商 : onsemi
库存 : 520
单价. : ¥5.49000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : FDS6690A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
型号 : RXH125N03TB1
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥4.44082
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.44082
替代类型. : 类似
型号 : AO4468
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 25,791
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似
库存 : 25,791
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似
型号 : RSS100N03TB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似