IPB049N08N5ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB049N08N5ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

40 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.9 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 66µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

53 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3770 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

125W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB049

其它名称

2156-IPB049N08N5ATMA1

448-IPB049N08N5ATMA1CT

448-IPB049N08N5ATMA1TR

IPB049N08N5ATMA1-ND

INFINFIPB049N08N5ATMA1

SP001227052

448-IPB049N08N5ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $10.62222
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $11.03077
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $11.8479
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $14.29908
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.404
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.655
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.09
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $14.29908
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.404
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.655
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.09
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

ATREB212BSMA-EK SIT3372AC-2E3-33NY30.720000 5-102618-8 TLW-109-01-F-S-RA EBC17DRAH-S734

IPB049N08N5ATMA1

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