English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCYDM128B16-55BVXI
元器件型号详细信息
原厂型号
CYDM128B16-55BVXI
摘要
IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
详情
SRAM - 双端口，MoBL 存储器 IC 128Kb 并联 55 ns 100-VFBGA（6x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
429
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
MoBL®
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 双端口，MoBL
存储容量
128Kb
存储器组织
8K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
55ns
访问时间
55 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V，2.4V ~ 2.6V，2.7V ~ 3.3V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
100-VFBGA
供应商器件封装
100-VFBGA（6x6）
基本产品编号
CYDM
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
CYPCYPCYDM128B16-55BVXI
CYDM128B1655BVXI
2156-CYDM128B16-55BVXI-CY
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CYDM128B16-55BVXI
相关文档
规格书
1(CYDM(064,128,256)B16)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 15/Dec/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CYDM(064,128,256)B16)
价格
-
替代型号
-