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GermanyDMN601VK-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN601VK-7
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
详情
MOSFET - 阵列 60V 305mA 250mW 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
21 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
305mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
DMN601
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMN601VK-7-F
DMN601VK-FDITR-ND
DMN601VKDICT
DMN601VK-FDITR
DMN601VKDIDKR
DMN601VK-FTR
DMN601VK-FDICT-ND
DMN601VK-FCT-ND
DMN601VK-FDICT
DMN601VK-FCT
DMN601VK-FTR-ND
DMN601VK7
DMN601VKDITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN601VK-7
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规格书
1(DMN601VK)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML 规格书
1(DMN601VK)
价格
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