English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAON6812
元器件型号详细信息
原厂型号
AON6812
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 27A 4.1W 表面贴装型 8-DFN-EP（5x6）
原厂/品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1720pF @ 15V
功率 - 最大值
4.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线裸焊盘
供应商器件封装
8-DFN-EP（5x6）
基本产品编号
AON681
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
785-1630-6
785-1630-2
785-1630-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6812
相关文档
规格书
1(AON6812)
其他相关文档
1(AOS Green Policy)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 28/Oct/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018)
HTML 规格书
1(AON6812)
价格
-
替代型号
-