RQ3E100MNTB1

元器件型号详细信息

原厂型号

RQ3E100MNTB1

摘要

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）

原厂/品牌

Rohm Semiconductor

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

12.3 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

9.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

520 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2W（Ta）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-HSMT（3.2x3）

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

RQ3E100

其它名称

RQ3E100MNTB1CT

RQ3E100MNTB1DKR

RQ3E100MNTB1TR

846-RQ3E100MNTB1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1

价格

数量: 3000

单价: $4.03179
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

替代型号

型号 : RQ3E100MNTB1

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 5,261
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 参数等效

型号 : DMS3014SFG-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : DMS3014SFG-7

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 11,885
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 类似

型号 : DMS3014SFGQ-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.14600
替代类型. : 类似

型号 : BSZ130N03LSGATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 18,877
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似

型号 : FDMC8878

制造商 : onsemi
库存 : 28,430
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 类似

型号 : DMG4468LFG-7

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.90611
替代类型. : 类似

型号 : IRFH3707TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 649
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似

RNC50J1202BSRSL31 DSC557-0333FI1T HTSW-214-22-G-S-LA CDR31BP470BFUS HTSW-112-41-S-S

RQ3E100MNTB1

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