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GermanyMMDF3N02HDR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
MMDF3N02HDR2G
摘要
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
630 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
MMDF3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
=MMDF3N02HDR2GOSCT-ND
2156-MMDF3N02HDR2G-ONTR-ND
MMDF3N02HDR2GOSCT
2156-MMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2GOSTR
MMDF3N02HDR2G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi MMDF3N02HDR2G
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规格书
1(MMDF3N02HD)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML 规格书
1(MMDF3N02HD)
EDA 模型
1(MMDF3N02HDR2G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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