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GermanyBZD27C8V2P-HE3-08
元器件型号详细信息
原厂型号
BZD27C8V2P-HE3-08
摘要
DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
详情
二极管 - 齐纳 8.2 V 800 mW 表面贴装型 DO-219AB（SMF）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
34 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101, BZD27C
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
8.2 V
容差
-
功率 - 最大值
800 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
2 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-219AB
供应商器件封装
DO-219AB（SMF）
基本产品编号
BZD27C8V2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
112-BZD27C8V2P-HE3-08TR
BZD27C8V2P-HE3-08GITR
BZD27C8V2P-HE3-08-ND
112-BZD27C8V2P-HE3-08CT
BZD27C8V2P-HE3-08GIDKR-ND
112-BZD27C8V2P-HE3-08DKR
BZD27C8V2P-HE3-08GICT-ND
BZD27C8V2P-HE3-08GICT
BZD27C8V2P-HE3-08GIDKR
BZD27C8V2P-HE3-08GITR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C8V2P-HE3-08
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规格书
1(BZD27 Series)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021)
HTML 规格书
1(BZD27 Series)
价格
数量: 3000
单价: $1.20812
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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