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GermanyBSD235N L6327
元器件型号详细信息
原厂型号
BSD235N L6327
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详情
MOSFET - 阵列 20V 950mA 500mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
950mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1.6µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.32nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
63pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BSD235
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSD235NL6327INTR
BSD235N L6327INCT
BSD235N L6327INDKR
BSD235N L6327INTR
BSD235NL6327INCT
BSD235NL6327INDKR
BSD235N L6327INTR-ND
BSD235N L6327INDKR-ND
BSD235N L6327INCT-ND
SP000442458
BSD235NL6327
BSD235N L6327-ND
BSD235NL6327HTSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSD235N L6327
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价格
-
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