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GermanySIR802DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIR802DP-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 30A（Tc） 4.6W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1785 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.6W（Ta），27.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR802
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIR802DP-T1-GE3CT
SIR802DP-T1-GE3DKR
SIR802DPT1GE3
SIR802DP-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SIR802DP)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN 组装/来源
1(Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023)
HTML 规格书
1(SIR802DP)
价格
-
替代型号
型号 : BSC046N02KSGAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 20,000
单价. : ¥13.28000
替代类型. : 类似
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