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GermanySTB10NK60Z-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STB10NK60Z-1
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详情
通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 115W（Tc） I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
STB10N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB10NK60Z-1
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1(Mult Dev OBS 3/Jul/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
HTML 规格书
1(STx10NK60Z)
价格
-
替代型号
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