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GermanyBSL211SPL6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSL211SPL6327HTSA1
摘要
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
67 毫欧 @ 4.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
654 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSOP6-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSL211SPL6327HTSA1TR
BSL211SPL6327INDKR
SP000095797
BSL211SPL6327HTSA1DKR
BSL211SPL6327XT
BSL211SP L6327
BSL211SP L6327-ND
BSL211SPL6327INCT
BSL211SPL6327HTSA1CT
BSL211SPL6327INDKR-ND
BSL211SPL6327INCT-ND
BSL211SPL6327
BSL211SPL6327INTR
BSL211SPL6327INTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSL211SPL6327HTSA1
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价格
-
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