元器件型号详细信息

原厂型号
DMN3730UFB-7
摘要
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 750mA(Ta) 470mW(Ta) X1-DFN1006-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
23 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
64.3 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
470mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN
基本产品编号
DMN3730

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

DMN3730UFB-7TR
DMN3730UFB-7DKR
DMN3730UFB-7CT
DMN3730UFB7

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN3730UFB-7

相关文档

规格书
1(DMN3730UFB)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015)

价格

数量: 30000
单价: $1.12189
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.18324
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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