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元器件型号详细信息
原厂型号
NVD3055L170T4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.5W（Tj） DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
170 毫欧 @ 4.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
275 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），28.5W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NVD3055
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVD3055L170T4GOSDKR
NVD3055L170T4G-ND
NVD3055L170T4GOSTR
NVD3055L170T4GOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVD3055L170T4G
相关文档
规格书
1(NTD3055L170)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 组装/来源
1(Multi Devices 06/Jun/2017)
HTML 规格书
1(NTD3055L170)
EDA 模型
1(NVD3055L170T4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NVD3055L170T4G-VF01
制造商 : onsemi
库存 : 2,500
单价. : ¥6.68000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥6.68000
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