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GermanySSM6N62TU,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N62TU,LF
摘要
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
详情
MOSFET - 阵列 20V 800mA（Ta） 500mW（Ta） 表面贴装型 UF6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
177pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
UF6
基本产品编号
SSM6N62
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM6N62TULFCT
SSM6N62TULFTR
SSM6N62TULFDKR
SSM6N62TU,LF(B
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU,LF
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规格书
1(SSM6N62TU)
EDA 模型
1(SSM6N62TU,LF by Ultra Librarian)
价格
数量: 75000
单价: $0.96214
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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