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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRFR6215
摘要
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 150 V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
295 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
AUIRFR6215
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001517590
2156-AUIRFR6215
IFEINFAUIRFR6215
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRFR6215
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规格书
1(AUIRFR6215)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Mar/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Rev 10/May/2022)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRFR6215)
价格
-
替代型号
型号 : IXTY15P15T
制造商 : IXYS
库存 : 1,112
单价. : ¥32.91000
替代类型. : 类似
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