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GermanyNVMYS021N06CLTWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMYS021N06CLTWG
摘要
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 9.8A（Ta），27A（Tc） 3.8W（Ta），28W（Tc） LFPAK4（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
59 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.8A（Ta），27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK4（5x6）
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号
NVMYS021
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVMYS021N06CLTWG
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1(NVMYS021N06CL)
环保信息
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