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GermanyIXTI10N60P
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTI10N60P
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
详情
通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 200W（Tc） TO-262（I2PAK）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
PolarHV™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
740 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1610 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262（I2PAK）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IXTI10
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTI10N60P
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规格书
1(IXT(A,I,P) 10N60P)
HTML 规格书
1(IXT(A,I,P) 10N60P)
价格
-
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