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GermanyFDD8896-G
元器件型号详细信息
原厂型号
FDD8896-G
摘要
MOSFET N-CH 30V TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 17A（Ta），94A（Tc） 80W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Ta），94A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2525 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-FDD8896-GTR
2832-FDD8896-GTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD8896-G
相关文档
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
价格
-
替代型号
型号 : FDD8896
制造商 : onsemi
库存 : 41,353
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 参数等效
库存 : 41,353
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 参数等效