English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXFY4N85X
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFY4N85X
摘要
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 850 V 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
70
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
247 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IXFY4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-1402-IXFY4N85X
238-IXFY4N85X
IXFY4N85X-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFY4N85X
相关文档
规格书
1(IXFx4N85X)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(IXFx4N85X)
价格
数量: 5000
单价: $15.59106
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $16.20011
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $17.0527
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $20.21962
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $23.7519
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $28.993
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $32.28
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-