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元器件型号详细信息
原厂型号
HYB18T1G800BF-3S
摘要
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA
详情
SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb 并联 333 MHz
原厂/品牌
Qimonda
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Qimonda
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
1Gb
存储器组织
128M x 8
存储器接口
并联
时钟频率
333 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
68-TFBGA
基本产品编号
HYB18T1G
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
675-1017-2
675-1017-1
HYB18T1G800BF3S
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Qimonda HYB18T1G800BF-3S
相关文档
规格书
1(HY(B/I)18T1G(40/80/16)0B(C/F)(L/V))
价格
数量: 1
单价: $279.04
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-