English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFI4110GPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFI4110GPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
详情
通孔 N 通道 100 V 72A（Tc） 61W（Tc） TO-220AB 整包
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
290 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9540 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
61W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IRFI4110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRFI4110GPBF
SP001556598
INFINFIRFI4110GPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFI4110GPBF
相关文档
规格书
1(IRFI4110GPBF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFI4110GPBF)
仿真模型
1(Infineon IRFI4110G-SM-v01_00- EN Saber File)
价格
数量: 5000
单价: $15.35647
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.95633
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $16.79612
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.91546
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $23.3948
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $28.555
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $31.8
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPA045N10N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 419
单价. : ¥22.34000
替代类型. : 类似
库存 : 419
单价. : ¥22.34000
替代类型. : 类似