元器件型号详细信息

原厂型号
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 3.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TDSON-8-52
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ PFD7
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 700mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
169 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-52
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
IPLK60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-IPLK60R1K5PFD7ATMA1CT
448-IPLK60R1K5PFD7ATMA1TR
SP004748878
448-IPLK60R1K5PFD7ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPLK60R1K5PFD7ATMA1

相关文档

规格书
1(IPLK60R1K5PFD7)
PCN 设计/规格
1(IPLK60 Material Chg 12/Aug/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021)

价格

数量: 10000
单价: $3.75123
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $3.89778
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $4.1029
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.39596
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.5682
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.7405
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $8.649
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.7405
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $8.649
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.7
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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