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GermanyNDS355N
元器件型号详细信息
原厂型号
NDS355N
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
245 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NDS355
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NDS355N
NDS355NCT
NDS355NCT-NDR
ONSFSCNDS355N
NDS355NTR-NDR
NDS355NTR
NDS355NDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDS355N
相关文档
规格书
1(NDS355N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Aug/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 12/Jul/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(NDS355N)
价格
-
替代型号
型号 : MGSF1N02LT1G
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型号 : PMV50ENEAR
制造商 : Nexperia USA Inc.
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制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 11,120
单价. : ¥3.10000
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