元器件型号详细信息

原厂型号
SQJ431AEP-T1_GE3
摘要
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 P 通道 200 V 9.4A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
305 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
85 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
68W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SQJ431

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3

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规格书
1(SQJ431AEP)
HTML 规格书
1(SQJ431AEP)
EDA 模型
1(SQJ431AEP-T1_ by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $5.95654
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $6.39775
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.72144
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.398
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.694
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.04
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.39775
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.72144
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.04
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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