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GermanyRMLV0816BGSD-4S2#HC0
元器件型号详细信息
原厂型号
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
摘要
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
详情
SRAM 存储器 IC 8Mb 并联 45 ns 52-TSOP II
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM
存储容量
8Mb
存储器组织
1M x 8，512K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45 ns
电压 - 供电
2.4V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽）
供应商器件封装
52-TSOP II
基本产品编号
RMLV0816
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
RMLV0816BGSD-4S2#HC0TR
RMLV0816BGSD-4S2#HC0DKR
RMLV0816BGSD-4S2#HC0CT
RMLV0816BGSD-4S2#HC0-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc RMLV0816BGSD-4S2#HC0
相关文档
规格书
1(RMLV0816BGSD-4S2)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 17/Aug/2018)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
价格
-
替代型号
型号 : RMLV0816BGSD-4S2#HA1
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接