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20250516
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元器件资讯
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1N4099 (DO35)
元器件型号详细信息
原厂型号
1N4099 (DO35)
摘要
DIODE ZENER 6.8V 400MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 6.8 V 400 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
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技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
6.8 V
容差
±5%
功率 - 最大值
400 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 5.17 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N4099
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N4099(DO35)-ND
1N4099(DO35)
1N4099 (DO35)-ND
150-1N4099(DO35)
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microsemi Corporation 1N4099 (DO35)
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规格书
1(1N4614-1~27-1e3, 1N4099-1~4135-1e3)
环保信息
()
HTML 规格书
1(1N4614-1~27-1e3, 1N4099-1~4135-1e3)
价格
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替代型号
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