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GermanySI3586DV-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3586DV-T1-GE3
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.9A，2.1A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A，2.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
830mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
基本产品编号
SI3586
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI3586DV-T1-GE3TR
SI3586DV-T1-GE3DKR
SI3586DV-T1-GE3CT
SI3586DVT1GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI3586DV-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI3586DV)
PCN 产品变更/停产
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML 规格书
1(SI3586DV)
价格
-
替代型号
型号 : SI3585CDV-T1-GE3
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