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元器件型号详细信息
原厂型号
BUR51
摘要
TRANS NPN 200V 60A TO3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 200 V 60 A 16MHz 350 W 底座安装 TO-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
20
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
200 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.5V @ 5A，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
20 @ 5A，4V
功率 - 最大值
350 W
频率 - 跃迁
16MHz
工作温度
200°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装
TO-3
基本产品编号
BUR51
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-2633-5
497-2633-5-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/STMicroelectronics BUR51
相关文档
规格书
1(BUR51)
HTML 规格书
1(BUR51)
价格
-
替代型号
型号 : MJ15022G
制造商 : onsemi
库存 : 483
单价. : ¥65.19000
替代类型. : 类似
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