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GermanyNSS40200UW6T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSS40200UW6T1G
摘要
TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 2 A 140MHz 875 mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
150 @ 1A，2V
功率 - 最大值
875 mW
频率 - 跃迁
140MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
基本产品编号
NSS40200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
NSS40200UW6T1G-ND
ONSONSNSS40200UW6T1G
NSS40200UW6T1GOSCT
NSS40200UW6T1GOSDKR
NSS40200UW6T1GOSTR
2156-NSS40200UW6T1G-OS
2832-NSS40200UW6T1GTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi NSS40200UW6T1G
相关文档
规格书
1(NSS40200UW6T1G)
产品培训模块
1(Low Vce(sat) BJT Power Savings)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Mar/2022)
PCN 设计/规格
1(Wire Bond 07/Sept/2011)
HTML 规格书
1(NSS40200UW6T1G)
价格
-
替代型号
型号 : NSV40200UW6T1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.75771
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥2.75771
替代类型. : 参数等效