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元器件型号详细信息
原厂型号
DMP2123LQ-7
摘要
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
25 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
443 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMP2123
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMP2123LQ-7-ND
DMP2123LQ-7DIDKR
DMP2123LQ-7DICT
DMP2123LQ-7DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMP2123LQ-7
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规格书
1(DMP2123LQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
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